互补金属氧化物半导体图像传感器是利用CMOS工艺制造的图像传感器,主要利用了半导体的(),其和CCD的原理相同。 A. 压阻效应B. 压电效应C. 温度效应D. 光电效应

互补金属氧化物半导体图像传感器（CMOS图像传感器）是利用CMOS工艺制造的图像传感器，主要利用了半导体的光电效应。光电效应是指半导体材料在受到光照时，其内部的电子结构发生变化，从而产生电流的现象。CMOS图像传感器和CCD（电荷耦合器件）的原理相同，都是通过光电效应将光信号转换为电信号，从而实现图像的捕捉和处理。