以下哪种半导体材料属于第三代半导体材料？ A. 硅（Si）B. 砷化镓（GaAs）C. 碳化硅（SiC）D. 锗（Ge）

考查要点：本题主要考查学生对半导体材料分类的了解，特别是对三代半导体材料代表物质的掌握。

解题核心思路：

1. 明确三代半导体材料的定义：
   • 第一代：元素半导体（如硅Si、锗Ge），主要用于传统电子器件。
   • 第二代：化合物半导体（如砷化镓GaAs），适用于高频、高速场景。
   • 第三代：宽禁带半导体（如碳化硅SiC、氮化镓GaN），具备高温、高功率特性。
2. 关键区分点：根据材料的禁带宽度和应用场景判断代别。

破题关键：

• 碳化硅（SiC）是典型的第三代半导体材料，因其宽禁带特性，在高温、高功率领域表现突出。

选项分析：

• A. 硅（Si）：第一代半导体材料，广泛用于集成电路。
• B. 砷化镓（GaAs）：第二代半导体材料，常用于光纤通信。
• C. 碳化硅（SiC）：第三代半导体材料，具有宽禁带，适合高温、高频应用。
• D. 锗（Ge）：第一代半导体材料，与硅同属传统材料。

结论：
碳化硅（SiC）因属于宽禁带半导体，符合第三代材料的特征，故正确答案为C。